WSDD18A4Y1N 產(chǎn)品是單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可充電電池組保護(hù)的高集成度解決方案。
WSDD18A4Y1N 包括了先進(jìn)的功率MOSFET,高精度的電壓檢測電路和延時電路。
WSDD18A4Y1N 具有非常小的DFN2x2-6L 封裝,這使得該器件非常適合應(yīng)用于空間限制得非常小的可充電電池組應(yīng)用。
WSDD18A4Y1N 具有過充、過放、過流、短路等所有電池需要的保護(hù)功能,并且工作時功耗非常低。
WSDD18A4Y1N 不僅僅為穿戴設(shè)備而設(shè)計(jì),也適用于一切需要鋰離子或鋰聚合物可充電電池長時間供電的各種信息產(chǎn)品的應(yīng)用場合。
內(nèi)部集成等效20mΩ的先進(jìn)功率MOSFET
超小封裝DFN2x2-6L
過溫保護(hù)OTP
充電過電流保護(hù)IIOCC
過放可自恢復(fù)功能
三段過流保護(hù)
- 放電過流保護(hù)1 IIOV1
- 放電過流保護(hù)2 IIOV2
- 負(fù)載短路保護(hù)ISHORT
充電器檢測功能
0V 電池充電功能
延遲時間內(nèi)部設(shè)定
防反接功能
高ESD 可靠性能力
高精度電壓檢測
- 常規(guī)精度:±50mV
低靜態(tài)電流
- 正常工作電流:3.0μA
- 待機(jī)電流:1.5uA
兼容ROHS 和無鉛標(biāo)準(zhǔn)
文檔名稱 | 文檔描述 | 下載 |
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WSDD18A4Y1N_datasheet_A0 | 251KB |